电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2015年
4期
56-59
,共4页
射频场效应晶体管%非线性%三阶交调失真%线性度提高%电容补偿%跨导补偿
射頻場效應晶體管%非線性%三階交調失真%線性度提高%電容補償%跨導補償
사빈장효응정체관%비선성%삼계교조실진%선성도제고%전용보상%과도보상
radio frequency metal-oxide-silicon field-effect transistors%nonlinearity%the third-order intermodulation distortion%linearity improving%capacitance compensation%transconductance compensation
基于射频(RF) MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD),对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和漏极结电容(Cjd)四个主要非线性源,提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术.将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器(PA)上,该PA采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计,仿真结果表明:采用线性度提高技术后,该功率放大器的线性度提高了4～10 dB.
基于射頻(RF) MOS管的等效電路及非線性等效模型,採用Agilent公司ADS軟件中的Symbolically Defined Device(SDD),對RF MOS管的非線性特性進行瞭綜閤分析.在此基礎上,針對柵源電容(Cgs)、跨導(gm)、輸齣導納(gds)和漏極結電容(Cjd)四箇主要非線性源,提齣瞭多柵晶體管補償、PMOS管補償、NMOS管補償、共柵管柵電容補償、深N阱和二次諧波短路等線性度提高技術.將這些線性度提高技術應用在射頻功率放大器(PA)上,該PA採用TSMC 0.18 μm RF CMOS工藝設計,倣真結果錶明:採用線性度提高技術後,該功率放大器的線性度提高瞭4～10 dB.
기우사빈(RF) MOS관적등효전로급비선성등효모형,채용Agilent공사ADS연건중적Symbolically Defined Device(SDD),대RF MOS관적비선성특성진행료종합분석.재차기출상,침대책원전용(Cgs)、과도(gm)、수출도납(gds)화루겁결전용(Cjd)사개주요비선성원,제출료다책정체관보상、PMOS관보상、NMOS관보상、공책관책전용보상、심N정화이차해파단로등선성도제고기술.장저사선성도제고기술응용재사빈공솔방대기(PA)상,해PA채용TSMC 0.18 μm RF CMOS공예설계,방진결과표명:채용선성도제고기술후,해공솔방대기적선성도제고료4～10 dB.
