材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2015年
3期
35-41
,共7页
邹凯%李蓉萍%刘永生%田磊%冯松
鄒凱%李蓉萍%劉永生%田磊%馮鬆
추개%리용평%류영생%전뢰%풍송
ZnTe薄膜%Sb掺杂%真空蒸发%光学性能%电学性能
ZnTe薄膜%Sb摻雜%真空蒸髮%光學性能%電學性能
ZnTe박막%Sb참잡%진공증발%광학성능%전학성능
ZnTe thin film%Sb-doped%vacuum evaporation%optical property%electrical property
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
採用真空蒸髮工藝在玻璃襯底上製備瞭ZnTe和摻Sb-ZnTe多晶薄膜,併在氮氣氣氛中對薄膜進行熱處理.分彆利用XRD、SEM、紫外-可見分光光度計、霍爾效應測試儀對薄膜的晶體結構、錶麵形貌、元素組成以及光學、電學性能進行錶徵,研究Sb摻雜量和熱處理對薄膜性能的影響.結果錶明:未摻雜薄膜為沿(111)晶麵擇優生長的立方相閃鋅礦結構,導電類型為P型.Sb摻雜併未改變ZnTe薄膜晶體結構和導電類型,但衍射峰彊度降低;Sb含量直接影響著Sb在ZnTe中的存在形式,摻Sb後抑製瞭薄膜中Te和Zn的結閤,使薄膜中Te的含量增加;室溫下薄膜的光學透過率和光學帶隙取決于摻Sb濃度和退火溫度,併且摻Sb後ZnTe薄膜的載流子濃度顯著增加,導電能力明顯增彊.
채용진공증발공예재파리츤저상제비료ZnTe화참Sb-ZnTe다정박막,병재담기기분중대박막진행열처리.분별이용XRD、SEM、자외-가견분광광도계、곽이효응측시의대박막적정체결구、표면형모、원소조성이급광학、전학성능진행표정,연구Sb참잡량화열처리대박막성능적영향.결과표명:미참잡박막위연(111)정면택우생장적립방상섬자광결구,도전류형위P형.Sb참잡병미개변ZnTe박막정체결구화도전류형,단연사봉강도강저;Sb함량직접영향착Sb재ZnTe중적존재형식,참Sb후억제료박막중Te화Zn적결합,사박막중Te적함량증가;실온하박막적광학투과솔화광학대극취결우참Sb농도화퇴화온도,병차참Sb후ZnTe박막적재류자농도현저증가,도전능력명현증강.