信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2015年
2期
26-30
,共5页
陈霞%潘洪涛%陆改玲%计晶晶%周澐
陳霞%潘洪濤%陸改玲%計晶晶%週澐
진하%반홍도%륙개령%계정정%주운
ITO薄膜%溶胶-凝胶法%氮气气氛%光电性能
ITO薄膜%溶膠-凝膠法%氮氣氣氛%光電性能
ITO박막%용효-응효법%담기기분%광전성능
利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)导电薄膜,并在氮气气氛下对薄膜进行热处理.采用四探针测试仪、双光束紫外-可见分光光度计、X-射线粉末衍射仪和扫描探针显微镜等手段对所制备的ITO薄膜进行分析表征,并对掺Sn量、退火温度和退火时间对薄膜光电性能的影响进行了研究.实验结果表明:当掺Sn量为11％、热处理温度为480℃、热处理时间为60min时,能在氮气气氛中成功制备纳米ITO导电薄膜,其晶粒大小在20～ 90nm之间,薄膜的方阻较小为390Ω/□,可见光透过率达80％以上.
利用溶膠-凝膠法在玻璃襯底上製備瞭摻錫氧化銦(ITO)導電薄膜,併在氮氣氣氛下對薄膜進行熱處理.採用四探針測試儀、雙光束紫外-可見分光光度計、X-射線粉末衍射儀和掃描探針顯微鏡等手段對所製備的ITO薄膜進行分析錶徵,併對摻Sn量、退火溫度和退火時間對薄膜光電性能的影響進行瞭研究.實驗結果錶明:噹摻Sn量為11％、熱處理溫度為480℃、熱處理時間為60min時,能在氮氣氣氛中成功製備納米ITO導電薄膜,其晶粒大小在20～ 90nm之間,薄膜的方阻較小為390Ω/□,可見光透過率達80％以上.
이용용효-응효법재파리츤저상제비료참석양화인(ITO)도전박막,병재담기기분하대박막진행열처리.채용사탐침측시의、쌍광속자외-가견분광광도계、X-사선분말연사의화소묘탐침현미경등수단대소제비적ITO박막진행분석표정,병대참Sn량、퇴화온도화퇴화시간대박막광전성능적영향진행료연구.실험결과표명:당참Sn량위11％、열처리온도위480℃、열처리시간위60min시,능재담기기분중성공제비납미ITO도전박막,기정립대소재20～ 90nm지간,박막적방조교소위390Ω/□,가견광투과솔체80％이상.
