电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2015年
3期
51-54
,共4页
带隙基准%功耗%曲率补偿%低温漂
帶隙基準%功耗%麯率補償%低溫漂
대극기준%공모%곡솔보상%저온표
bandgap reference%power consumption%curvature-compensation%low temperature drift
基于UMC 0.25 μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿.仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16 μA;电源电压2.5V～5.5V,基准电压变化53 μV;温度在-40℃～130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 dB.
基于UMC 0.25 μm BCD工藝,在傳統帶隙基準結構的基礎上,設計瞭一種具有低功耗、高精度的基準,同時利用NMOS管工作在亞閾值區域時漏電流和柵極電壓的指數特性,對基準溫度特性麯線進行二階補償.倣真結果錶明,電源電壓5V時,靜態電流功耗為3.16 μA;電源電壓2.5V～5.5V,基準電壓變化53 μV;溫度在-40℃～130℃內,電路的溫度繫數為0.86×10-6/℃;三種工藝角下,低頻時電路電源抑製比都小于-95 dB.
기우UMC 0.25 μm BCD공예,재전통대극기준결구적기출상,설계료일충구유저공모、고정도적기준,동시이용NMOS관공작재아역치구역시루전류화책겁전압적지수특성,대기준온도특성곡선진행이계보상.방진결과표명,전원전압5V시,정태전류공모위3.16 μA;전원전압2.5V～5.5V,기준전압변화53 μV;온도재-40℃～130℃내,전로적온도계수위0.86×10-6/℃;삼충공예각하,저빈시전로전원억제비도소우-95 dB.
