光学仪器
光學儀器
광학의기
OPTICAL INSTRUMENTS
2015年
1期
9-13,23
,共6页
电化学%多孔硅形貌%N型硅
電化學%多孔硅形貌%N型硅
전화학%다공규형모%N형규
electrochemistry%porous silicon morphology%N-type silicon
采用电化学腐蚀方法,将不同比例的乙醇和质量分数为40％的氢氟酸混合,并以此混合液为腐蚀液,在光照条件下,制备了N型轻掺杂的多孔硅.讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响.研究表明,电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时,制备的多孔硅越深,孔径也越大,当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱.由表面形貌可知,当多孔层孔径小于500 nm时其机械强度良好,当孔径超过这一阈值尤其是大于800 nm时,多孔层骨架则极易断裂.
採用電化學腐蝕方法,將不同比例的乙醇和質量分數為40％的氫氟痠混閤,併以此混閤液為腐蝕液,在光照條件下,製備瞭N型輕摻雜的多孔硅.討論瞭不同電化學腐蝕條件對多孔硅結構的影響.研究錶明,電流密度、腐蝕時間和氫氟痠質量分數越大時,製備的多孔硅越深,孔徑也越大,噹以上三者數值過大時會導緻多孔硅機械彊度急速減弱.由錶麵形貌可知,噹多孔層孔徑小于500 nm時其機械彊度良好,噹孔徑超過這一閾值尤其是大于800 nm時,多孔層骨架則極易斷裂.
채용전화학부식방법,장불동비례적을순화질량분수위40％적경불산혼합,병이차혼합액위부식액,재광조조건하,제비료N형경참잡적다공규.토론료불동전화학부식조건대다공규결구적영향.연구표명,전류밀도、부식시간화경불산질량분수월대시,제비적다공규월심,공경야월대,당이상삼자수치과대시회도치다공규궤계강도급속감약.유표면형모가지,당다공층공경소우500 nm시기궤계강도량호,당공경초과저일역치우기시대우800 nm시,다공층골가칙겁역단렬.
