电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2015年
3期
55-57
,共3页
低电压差分信号%LVDS I/O%低功率芯片%高速集成电路
低電壓差分信號%LVDS I/O%低功率芯片%高速集成電路
저전압차분신호%LVDS I/O%저공솔심편%고속집성전로
low voltage differential signaling%LVDS I/O%low power chip%high speed integrated circuit
针对高速数据传输的需要,设计一款低功耗的高速CMOS LVDS(低电压差分信号)接收器.接收器采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,应用工艺中提供的厚栅氧化器件(3.3V器件)和薄栅氧化器件(1.2V器件)两种器件,使其满足输入LVDS信号的共模电压范围为0.05 V～2.4 V、差模电压范围为100 mV～400 mV的情况下工作,完全符合LVDS接口标准的要求.所设计芯片具有功耗低、传输速度快、成本低等优点.
針對高速數據傳輸的需要,設計一款低功耗的高速CMOS LVDS(低電壓差分信號)接收器.接收器採用SMIC 0.13μm CMOS工藝,應用工藝中提供的厚柵氧化器件(3.3V器件)和薄柵氧化器件(1.2V器件)兩種器件,使其滿足輸入LVDS信號的共模電壓範圍為0.05 V～2.4 V、差模電壓範圍為100 mV～400 mV的情況下工作,完全符閤LVDS接口標準的要求.所設計芯片具有功耗低、傳輸速度快、成本低等優點.
침대고속수거전수적수요,설계일관저공모적고속CMOS LVDS(저전압차분신호)접수기.접수기채용SMIC 0.13μm CMOS공예,응용공예중제공적후책양화기건(3.3V기건)화박책양화기건(1.2V기건)량충기건,사기만족수입LVDS신호적공모전압범위위0.05 V～2.4 V、차모전압범위위100 mV～400 mV적정황하공작,완전부합LVDS접구표준적요구.소설계심편구유공모저、전수속도쾌、성본저등우점.
