火工品
火工品
화공품
INITIATORS & PYROTECHNICS
2015年
1期
14-17
,共4页
李静%张文超%秦志春%叶家海%田桂蓉%徐振相
李靜%張文超%秦誌春%葉傢海%田桂蓉%徐振相
리정%장문초%진지춘%협가해%전계용%서진상
半导体桥%静电加固%点火
半導體橋%靜電加固%點火
반도체교%정전가고%점화
Semiconductor bridge%Electrostatic reinforcement%Ignition
针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题,提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状,达到提高半导体桥抗静电能力的目的.静电实验发现圆弧型半导体桥在10 000pF电容、25kV电压并且串联5 000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损.33μF电容、19V电压放电模式下,静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变,而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟,证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强.
針對橋區形狀為尖角形的半導體橋在尖角處電流密度過于集中、易髮生靜電損傷的問題,提齣將半導體橋的尖角部分設計為圓弧的形狀,達到提高半導體橋抗靜電能力的目的.靜電實驗髮現圓弧型半導體橋在10 000pF電容、25kV電壓併且串聯5 000Ω電阻的靜電遲擊條件下完好無損.33μF電容、19V電壓放電模式下,靜電遲擊前後圓弧型半導體橋的髮火時間基本沒變,而尖角型半導體橋的髮火時間髮生瞭較長的延遲,證明圓弧型半導體橋在保證髮火的前提下抗靜電能力得到增彊.
침대교구형상위첨각형적반도체교재첨각처전류밀도과우집중、역발생정전손상적문제,제출장반도체교적첨각부분설계위원호적형상,체도제고반도체교항정전능력적목적.정전실험발현원호형반도체교재10 000pF전용、25kV전압병차천련5 000Ω전조적정전충격조건하완호무손.33μF전용、19V전압방전모식하,정전충격전후원호형반도체교적발화시간기본몰변,이첨각형반도체교적발화시간발생료교장적연지,증명원호형반도체교재보증발화적전제하항정전능력득도증강.
