发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2015年
4期
466-471
,共6页
武芹%全知觉%王立%刘文%张建立%江风益
武芹%全知覺%王立%劉文%張建立%江風益
무근%전지각%왕립%류문%장건립%강풍익
Si衬底%偏角%GaN%MOCVD
Si襯底%偏角%GaN%MOCVD
Si츤저%편각%GaN%MOCVD
Si substrate%miscut%GaN%MOCVD
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°～0.9°)的Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXRD、原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对外延薄膜的晶体质量、量子阱中In组分、表面形貌及光学特性进行了研究.结果表明,Si(111)衬底偏角对量子阱中的In组分、GaN外延膜的表面形貌、晶体质量以及光学性能具有重大影响.为了获得高质量的GaN外延薄膜,衬底偏角必须控制在小于0.5°的范围内.超出该范围,GaN薄膜的晶体质量、表面形貌及光学性能都明显下降.
利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)方法在具有偏角(0°～0.9°)的Si(111)襯底上生長瞭GaN薄膜.採用高分辨X射線衍射(HRXRD)對Si襯底的偏角進行瞭精確的測量,利用HRXRD、原子力顯微鏡(AFM)以及光緻髮光(PL)對外延薄膜的晶體質量、量子阱中In組分、錶麵形貌及光學特性進行瞭研究.結果錶明,Si(111)襯底偏角對量子阱中的In組分、GaN外延膜的錶麵形貌、晶體質量以及光學性能具有重大影響.為瞭穫得高質量的GaN外延薄膜,襯底偏角必鬚控製在小于0.5°的範圍內.超齣該範圍,GaN薄膜的晶體質量、錶麵形貌及光學性能都明顯下降.
이용금속유궤화학기상침적(MOCVD)방법재구유편각(0°～0.9°)적Si(111)츤저상생장료GaN박막.채용고분변X사선연사(HRXRD)대Si츤저적편각진행료정학적측량,이용HRXRD、원자력현미경(AFM)이급광치발광(PL)대외연박막적정체질량、양자정중In조분、표면형모급광학특성진행료연구.결과표명,Si(111)츤저편각대양자정중적In조분、GaN외연막적표면형모、정체질량이급광학성능구유중대영향.위료획득고질량적GaN외연박막,츤저편각필수공제재소우0.5°적범위내.초출해범위,GaN박막적정체질량、표면형모급광학성능도명현하강.
