发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2015年
4期
459-465
,共7页
李源浩%武聪伶%杨君礼%李菀丽%刘慧慧%贾虎生%王华%刘旭光%伍永安
李源浩%武聰伶%楊君禮%李菀麗%劉慧慧%賈虎生%王華%劉旭光%伍永安
리원호%무총령%양군례%리완려%류혜혜%가호생%왕화%류욱광%오영안
顶发射有机电致发光器件%模拟计算%三氧化钼%透射率
頂髮射有機電緻髮光器件%模擬計算%三氧化鉬%透射率
정발사유궤전치발광기건%모의계산%삼양화목%투사솔
TOLED%simulation calculation%MoO3%transmittance
运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极.然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺/三氧化钼(MoO3)/银(Ag)/三氧化钼(MoO3),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性.MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256％,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高了18.5％和56％.器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO3对空穴注入能力的提升.
運用傳輸矩陣法和正交分析法模擬計算齣MoO3/Ag/MoO3透明電極的最佳厚度,採用鍍膜實驗驗證模擬計算的準確性,製備瞭一繫列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明電極.然後,製備瞭一繫列頂髮射有機電緻髮光器件:鋁/氟化鋰(LiF)/三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺/三氧化鉬(MoO3)/銀(Ag)/三氧化鉬(MoO3),來進一步驗證模擬計算運用在器件製備中的準確性.MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm處的透射率達到最大值88.256％,以該透明電極製備的器件與參攷器件相比,性能有瞭明顯提高,最大亮度和最大效率分彆為20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高瞭18.5％和56％.器件性能的提高歸因于頂髮射OLED器件透射率的提高和MoO3對空穴註入能力的提升.
운용전수구진법화정교분석법모의계산출MoO3/Ag/MoO3투명전겁적최가후도,채용도막실험험증모의계산적준학성,제비료일계렬불동MoO3막후도화Ag막후도적투명전겁.연후,제비료일계렬정발사유궤전치발광기건:려/불화리(LiF)/삼(8-간기규람)려(Alq3)/N,N'-이분기-N,N'-(1-내기)-1,1'-련분-4,4'-이알/삼양화목(MoO3)/은(Ag)/삼양화목(MoO3),래진일보험증모의계산운용재기건제비중적준학성.MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)재532 nm처적투사솔체도최대치88.256％,이해투명전겁제비적기건여삼고기건상비,성능유료명현제고,최대량도화최대효솔분별위20 076 cd/m2화4.03 cd/A,제고료18.5％화56％.기건성능적제고귀인우정발사OLED기건투사솔적제고화MoO3대공혈주입능력적제승.
