CAJ | 학술논문

浮栅氧化层前清洗工艺是降低硅晶片表面的金属污染，改善器件漏电，提高产品可靠性的关键步骤。在实际应用中，随着对产品可靠性的要求不断提高，利用传统方法来优化化学清洗溶液的参数很难满足器件对金属污染的要求。通过对超纯水冲洗过程中金属污染产生的机制理论分析，找出了影响金属污染的关键因素。实验中，利用稀释的HF清洗，改变硅晶片表面的化学键，改善硅晶片表面的金属污染，以提高少数载流子寿命。
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