不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌
불동응력하적InxGa1-xAs박막표면형모
Study on the Surface Morphology of InGaAs Film Subjected to Varying Stresses
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2015年 2期 21-23,37 ,共4页

    郭祥%王一%魏文喆%黄梦雅%赵振%王继红%胡明哲%丁召

    곽상%왕일%위문철%황몽아%조진%왕계홍%호명철%정소

    MBE%InGaAs%表面形貌 MBE%InGaAs%錶麵形貌
    MBE%InGaAs%표면형모
    MBE%InGaAs%surface morphology
    利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14 Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜.采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌.虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86 As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛.
    이용분자속외연기술,통과반사식고능전자연사의실시감공InGaAs박막생장상황,재InAs(001)기편상생장In0.86Ga0.14As,재GaAs(001)기편상생장In0.14 Ga0.86As(후도균위20원자층)단정박막.채용소묘수도현미경대원위퇴화후적InGaAs양품진행소묘,발현불동조분적InGaAs정현불동적표면형모.수연생장적초시표면도시원자급평탄,단시유우정격상수차이촉발불동류형적표면응력,촉사In0.14Ga0.86 As/GaAs박막중태계변연평활뉴곡,이재In0.86Ga0.14As/InAs박막표면태계각정거치상;동시,유우불동류형표면응력적작용,저In조분박막형성경다적이유(2D)도.
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