红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2015年
2期
172-176
,共5页
杨洲%王茺%于杰%胡伟达%杨宇
楊洲%王茺%于傑%鬍偉達%楊宇
양주%왕충%우걸%호위체%양우
应变Si1-xGex沟道%p-MOSFET%阈值电压%扭结
應變Si1-xGex溝道%p-MOSFET%閾值電壓%扭結
응변Si1-xGex구도%p-MOSFET%역치전압%뉴결
strained Si1-xGex channel%p-MOSFET%threshold-voltage%kink
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象.
對絕緣層上Si/應變Si1-xGex/Si異質結p-MOSFET電學特性進行二維數值分析,研究瞭該器件的閾值電壓特性、轉移特性、輸齣特性.模擬結果錶明,隨著應變Si1-xGex溝道層中的Ge組分增大,器件的閾值電壓嚮正方嚮偏移,轉移特性增彊;噹偏置條件一定時,漏源電流的增長幅度隨著Ge組分的增大而減小;器件的輸齣特性呈現齣較為明顯的扭結現象.
대절연층상Si/응변Si1-xGex/Si이질결p-MOSFET전학특성진행이유수치분석,연구료해기건적역치전압특성、전이특성、수출특성.모의결과표명,수착응변Si1-xGex구도층중적Ge조분증대,기건적역치전압향정방향편이,전이특성증강;당편치조건일정시,루원전류적증장폭도수착Ge조분적증대이감소;기건적수출특성정현출교위명현적뉴결현상.
