电子科技
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전자과기
IT AGE
2015年
5期
108-110
,共3页
铜锡合金纳米粒子%封装材料%低熔点
銅錫閤金納米粒子%封裝材料%低鎔點
동석합금납미입자%봉장재료%저용점
通过化学还原方法制备了铜锡合金纳米粒子,并研究分析了其的尺寸和热学性能.铜锡纳米粒子的X射线衍射分析结果显示,合成产物主要是锡纳米颗粒和铜锡合金(Cu6Sn5)纳米颗粒组成,且这些纳米粒子并未被氧化.其示差扫描量热法测得结果表明,本次合成的纳米颗粒的熔点为202.98℃,适合现代电子封装技术对低熔点封装材料的要求.
通過化學還原方法製備瞭銅錫閤金納米粒子,併研究分析瞭其的呎吋和熱學性能.銅錫納米粒子的X射線衍射分析結果顯示,閤成產物主要是錫納米顆粒和銅錫閤金(Cu6Sn5)納米顆粒組成,且這些納米粒子併未被氧化.其示差掃描量熱法測得結果錶明,本次閤成的納米顆粒的鎔點為202.98℃,適閤現代電子封裝技術對低鎔點封裝材料的要求.
통과화학환원방법제비료동석합금납미입자,병연구분석료기적척촌화열학성능.동석납미입자적X사선연사분석결과현시,합성산물주요시석납미과립화동석합금(Cu6Sn5)납미과립조성,차저사납미입자병미피양화.기시차소묘량열법측득결과표명,본차합성적납미과립적용점위202.98℃,괄합현대전자봉장기술대저용점봉장재료적요구.
