CAJ | 학술논문

采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理.结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制.结果表明:溶液中Cu2+和Sn2+浓度不仅影响其本身的沉积速率,还影响溶液中其他金属元素的沉积速率,而Zn2+浓度仅影响其本身沉积速率.四元预制层的沉积以原子层外延为机理,在负电位作用下,Cu2+先转变为Cu原子沉积在衬底表面,且与衬底附近析出的S原子发生化学反应,在衬底上生成CuS,同样,SnS和ZnS也以这种方式交替沉积在衬底上.预制层二元硫化物随着退火温度的升高逐渐转变为Cu2(3) SnS3(4)和Cu2ZnSnS4.利用四元共电沉积预制层550℃退火1h合成的Cu2ZnSnS4薄膜原子比为Cu∶Zn∶Sn∶S=23.72∶12.22∶13.07∶50.99.无偏压下合成的CZTS薄膜光电流达到约6nA.
채용순배복안법연구료제비CZTS박막사원예제층적전화학침적궤리.결합XRD,SEM,EDS화Raman기술분석예제층퇴화적상전변궤제.결과표명:용액중Cu2+화Sn2+농도불부영향기본신적침적속솔,환영향용액중기타금속원소적침적속솔,이Zn2+농도부영향기본신침적속솔.사원예제층적침적이원자층외연위궤리,재부전위작용하,Cu2+선전변위Cu원자침적재츤저표면,차여츤저부근석출적S원자발생화학반응,재츤저상생성CuS,동양,SnS화ZnS야이저충방식교체침적재츤저상.예제층이원류화물수착퇴화온도적승고축점전변위Cu2(3) SnS3(4)화Cu2ZnSnS4.이용사원공전침적예제층550℃퇴화1h합성적Cu2ZnSnS4박막원자비위Cu∶Zn∶Sn∶S=23.72∶12.22∶13.07∶50.99.무편압하합성적CZTS박막광전류체도약6nA.