中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2015年
1期
39-43,83
,共6页
吴嘉士%黄继伟%张荣晶%张千文%陈俊龙
吳嘉士%黃繼偉%張榮晶%張韆文%陳俊龍
오가사%황계위%장영정%장천문%진준룡
恒流驱动%高电压输入%校准器%过温保护
恆流驅動%高電壓輸入%校準器%過溫保護
항류구동%고전압수입%교준기%과온보호
基于0.5μm CMOS工艺设计了一款LED恒流驱动芯片.该设计实现了9V ～ 40V的输入电压,同时通过外置反馈电阻实现了电流的可调,电流范围可从10mA变化至80mA;通过验证实现了在不同工艺角下,当温度不变而输出电压从1V变化到8V的情况下,10mA和80mA电流变化误差均约±0.6％;在不同工艺角下,当输出电压不变而温度从-40℃变化到125℃时,10mA电流变化误差约为±1.5％,80mA电流变化误差约为±1.15％.设计主要包括校准器、带隙基准电路、输出运放结构以及过温保护电路,并对各个电路做详细分析.
基于0.5μm CMOS工藝設計瞭一款LED恆流驅動芯片.該設計實現瞭9V ～ 40V的輸入電壓,同時通過外置反饋電阻實現瞭電流的可調,電流範圍可從10mA變化至80mA;通過驗證實現瞭在不同工藝角下,噹溫度不變而輸齣電壓從1V變化到8V的情況下,10mA和80mA電流變化誤差均約±0.6％;在不同工藝角下,噹輸齣電壓不變而溫度從-40℃變化到125℃時,10mA電流變化誤差約為±1.5％,80mA電流變化誤差約為±1.15％.設計主要包括校準器、帶隙基準電路、輸齣運放結構以及過溫保護電路,併對各箇電路做詳細分析.
기우0.5μm CMOS공예설계료일관LED항류구동심편.해설계실현료9V ～ 40V적수입전압,동시통과외치반궤전조실현료전류적가조,전류범위가종10mA변화지80mA;통과험증실현료재불동공예각하,당온도불변이수출전압종1V변화도8V적정황하,10mA화80mA전류변화오차균약±0.6％;재불동공예각하,당수출전압불변이온도종-40℃변화도125℃시,10mA전류변화오차약위±1.5％,80mA전류변화오차약위±1.15％.설계주요포괄교준기、대극기준전로、수출운방결구이급과온보호전로,병대각개전로주상세분석.
