CAJ | 학술논문

为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器，对压应变 InGaAsSb ／GaAsSb 量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克－潘纳模型，确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于 Lastip 软件建立了条宽为50μm、腔长为800μm 的半导体激光器仿真模型，模拟器件的输出特性，讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明：当量子阱组分为 In0.44 Ga0.56 As0.92 Sb0.08／GaAs0.92 Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时，器件的性能达到最佳，阈值电流为48 mA，斜率效率为0.76 W／A。
위료연제만족광섬통신수구적고성능반도체격광기，대압응변 InGaAsSb ／GaAsSb 양자정격광기유원구진행료연구。근거응변양자정능대이론、고체모형이론화극룡니극－반납모형，학정료격사파장여양자정재료조분급정관적관계。기우 Lastip 연건건립료조관위50μm、강장위800μm 적반도체격광기방진모형，모의기건적수출특성，토론료양자정개수대기건광전특성적영향。결과표명：당양자정조분위 In0.44 Ga0.56 As0.92 Sb0.08／GaAs0.92 Sb0.08、정관위9 nm、양자정개수위2시，기건적성능체도최가，역치전류위48 mA，사솔효솔위0.76 W／A。