发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2015年
6期
645-650
,共6页
安涛%李朋%杜牧涵%唐峰景%杜小菊
安濤%李朋%杜牧涵%唐峰景%杜小菊
안도%리붕%두목함%당봉경%두소국
有机半导体%荧光材料%超薄发光层%白光有机发光器件
有機半導體%熒光材料%超薄髮光層%白光有機髮光器件
유궤반도체%형광재료%초박발광층%백광유궤발광기건
organic semiconductor%fluorescent material%ultrathin emitting layer%white organic light-emitting devices
使用蓝、绿、红超薄发光层结构来制备荧光型非掺杂白光器件,其器件结构为ITO/MoO3(5 nm)/TCTA(40 nm)/C545T(1 nm)/TCTA(2 nm)/BePP2(1 nm)/Bphen(2 nm)/DCJTB(1 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1nm)/Al(1 000 nm).白光器件的最大发光亮度和电流效率分别为16 154.73 cd/m2和11.58 cd/A.在电压为7V时,器件的色坐标为(0.322 2,0.335 1),而且色坐标在大的电压变化范围内的变化值仅为(0.017 4,0.002 9).与掺杂结构的白光器件相比,超薄发光层结构的白光器件拥有高的电流效率和稳定的电致发光光谱,原因是超薄发光层结构的载流子捕获效应能使激子有效限制在复合区域内.
使用藍、綠、紅超薄髮光層結構來製備熒光型非摻雜白光器件,其器件結構為ITO/MoO3(5 nm)/TCTA(40 nm)/C545T(1 nm)/TCTA(2 nm)/BePP2(1 nm)/Bphen(2 nm)/DCJTB(1 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1nm)/Al(1 000 nm).白光器件的最大髮光亮度和電流效率分彆為16 154.73 cd/m2和11.58 cd/A.在電壓為7V時,器件的色坐標為(0.322 2,0.335 1),而且色坐標在大的電壓變化範圍內的變化值僅為(0.017 4,0.002 9).與摻雜結構的白光器件相比,超薄髮光層結構的白光器件擁有高的電流效率和穩定的電緻髮光光譜,原因是超薄髮光層結構的載流子捕穫效應能使激子有效限製在複閤區域內.
사용람、록、홍초박발광층결구래제비형광형비참잡백광기건,기기건결구위ITO/MoO3(5 nm)/TCTA(40 nm)/C545T(1 nm)/TCTA(2 nm)/BePP2(1 nm)/Bphen(2 nm)/DCJTB(1 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1nm)/Al(1 000 nm).백광기건적최대발광량도화전류효솔분별위16 154.73 cd/m2화11.58 cd/A.재전압위7V시,기건적색좌표위(0.322 2,0.335 1),이차색좌표재대적전압변화범위내적변화치부위(0.017 4,0.002 9).여참잡결구적백광기건상비,초박발광층결구적백광기건옹유고적전류효솔화은정적전치발광광보,원인시초박발광층결구적재류자포획효응능사격자유효한제재복합구역내.
