山东工业技术
山東工業技術
산동공업기술
Shandong Industrial Technology
2015年
11期
269-270
,共2页
肖步文%孙晓儒%甘新慧%周东飞%尹攀
肖步文%孫曉儒%甘新慧%週東飛%尹攀
초보문%손효유%감신혜%주동비%윤반
氮化硅%VLD终端%双层掩膜
氮化硅%VLD終耑%雙層掩膜
담화규%VLD종단%쌍층엄막
采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件.
採用VLD終耑的半導體器件,在工藝流程上首先需要進行終耑製備,然後進行有源區的製備,這就需要在終耑製備工藝結束之後,留下後續工藝製造所需要的光刻對版標記,本文設計瞭一種可以實現套刻的光刻對版標記的工藝,併給齣瞭工藝實現的條件.
채용VLD종단적반도체기건,재공예류정상수선수요진행종단제비,연후진행유원구적제비,저취수요재종단제비공예결속지후,류하후속공예제조소수요적광각대판표기,본문설계료일충가이실현투각적광각대판표기적공예,병급출료공예실현적조건.
