高电压技术
高電壓技術
고전압기술
HIGH VOLTAGE ENGINEERING
2015年
5期
1631-1636
,共6页
硅双极晶体管%静电放电%机器模型%特征频率%基区宽度%电流增益
硅雙極晶體管%靜電放電%機器模型%特徵頻率%基區寬度%電流增益
규쌍겁정체관%정전방전%궤기모형%특정빈솔%기구관도%전류증익
silicon bipolar transistors%electrostatic discharge%machine model%cutoff frequency%base width%current gain
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验.试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT＞600MHz时,hFE渐变至失效.该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义.
為瞭髮掘不同特徵頻率的高頻硅雙極晶體管在靜電放電(ESD)機器模型(MM)作用下敏感特性的相關規律,選取瞭12種典型的高頻硅雙極晶體管進行靜電放電效應試驗.試驗結果錶明:由于髮射極E基極B之間的PN結(EB結)基區寬度比集電極C和基極B之間的PN結(CB結)窄,因而反偏註入MM ESD時,高頻硅硅雙極晶體管(BJT)的ESD最敏感耑對是EB反偏結;噹特徵頻率fT=600MHz時,失效電壓最大,併且隨著fT的升高或降低,器件的失效電壓逐漸減小;隨著註入電壓的升高,噹fT≤600MHz時,共髮射極電流增益hFE突變至失效,噹fT＞600MHz時,hFE漸變至失效.該研究結果對于分析高頻硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指導意義.
위료발굴불동특정빈솔적고빈규쌍겁정체관재정전방전(ESD)궤기모형(MM)작용하민감특성적상관규률,선취료12충전형적고빈규쌍겁정체관진행정전방전효응시험.시험결과표명:유우발사겁E기겁B지간적PN결(EB결)기구관도비집전겁C화기겁B지간적PN결(CB결)착,인이반편주입MM ESD시,고빈규규쌍겁정체관(BJT)적ESD최민감단대시EB반편결;당특정빈솔fT=600MHz시,실효전압최대,병차수착fT적승고혹강저,기건적실효전압축점감소;수착주입전압적승고,당fT≤600MHz시,공발사겁전류증익hFE돌변지실효,당fT＞600MHz시,hFE점변지실효.해연구결과대우분석고빈규BJT재ESD작용하적민감특성구유지도의의.
