湿法冶金
濕法冶金
습법야금
HYDROMETALLURGY OF CHINA
2015年
3期
213-217
,共5页
何克杰%罗炎%皮露%孙维义%丁桑岚%苏仕军
何剋傑%囉炎%皮露%孫維義%丁桑嵐%囌仕軍
하극걸%라염%피로%손유의%정상람%소사군
硫酸锰溶液%四氧化三锰%前驱体%沉淀%焙烧%制备
硫痠錳溶液%四氧化三錳%前驅體%沉澱%焙燒%製備
류산맹용액%사양화삼맹%전구체%침정%배소%제비
MnSO4 solution%Mn3O4%precursor%precipitation%calcinations%preparation
针对传统M n3 O4生产过程中存在工艺控制复杂和污染物排放量大的问题,结合传统液相法和焙烧法的优点,提出了先用NaOH滴加含有分散剂十二烷基硫酸钠(SDS)的硫酸锰溶液制备四氧化三锰前驱体,再焙烧前驱体制备M n3 O4,用SEM、XRD对产物进行表征。试验结果表明:在SDS投加量1.5 g/L、反应温度60℃、反应时间30 min和搅拌转速300 r/min条件下,可得到粒径约100 nm、大小分布均匀的纳米级前驱体颗粒,其主要由M n(O H )2、M nOO H和M n3 O4组成;前驱体焙烧制备M n3 O4最佳温度为1000℃,此时可得到呈四方尖晶石结构、粒径约500 nm、颗粒大小均匀的M n3 O4产品。
針對傳統M n3 O4生產過程中存在工藝控製複雜和汙染物排放量大的問題,結閤傳統液相法和焙燒法的優點,提齣瞭先用NaOH滴加含有分散劑十二烷基硫痠鈉(SDS)的硫痠錳溶液製備四氧化三錳前驅體,再焙燒前驅體製備M n3 O4,用SEM、XRD對產物進行錶徵。試驗結果錶明:在SDS投加量1.5 g/L、反應溫度60℃、反應時間30 min和攪拌轉速300 r/min條件下,可得到粒徑約100 nm、大小分佈均勻的納米級前驅體顆粒,其主要由M n(O H )2、M nOO H和M n3 O4組成;前驅體焙燒製備M n3 O4最佳溫度為1000℃,此時可得到呈四方尖晶石結構、粒徑約500 nm、顆粒大小均勻的M n3 O4產品。
침대전통M n3 O4생산과정중존재공예공제복잡화오염물배방량대적문제,결합전통액상법화배소법적우점,제출료선용NaOH적가함유분산제십이완기류산납(SDS)적류산맹용액제비사양화삼맹전구체,재배소전구체제비M n3 O4,용SEM、XRD대산물진행표정。시험결과표명:재SDS투가량1.5 g/L、반응온도60℃、반응시간30 min화교반전속300 r/min조건하,가득도립경약100 nm、대소분포균균적납미급전구체과립,기주요유M n(O H )2、M nOO H화M n3 O4조성;전구체배소제비M n3 O4최가온도위1000℃,차시가득도정사방첨정석결구、립경약500 nm、과립대소균균적M n3 O4산품。
The traditional preparation technology for Mn3 O4 has the problems of difficult process control and high pollutant .Combined with the advantages of the traditional liquid phase method and roasting method ,the new method that preparation of Mn3 O4 precursor using MnSO4 solution with despersant SDS by adding NaOH and preparation of Mn3 O4 through roasting the precursor was presented .The SEM and XRD analysis results show that under the experimental conditions for preparation of precursor of 1 .5 g/L SDS ,30 min reaction time ,60 ℃ reaction temperature and 300 r/min agitation rate ,uniform size particles about 100 nm can be obtained .The precursor composes of Mn(OH)2 ,MnOOH and Mn3 O4 .The best roasting temperature for preparing Mn3 O4 is 1 000 ℃ ,and Mn3 O4 product has tetragonal morphology with particle size of about 500 nm .