厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2015年
3期
384-389
,共6页
李晓莹%朱丽虹%邓彪%张玲%刘维翠%曾凡明%刘宝林
李曉瑩%硃麗虹%鄧彪%張玲%劉維翠%曾凡明%劉寶林
리효형%주려홍%산표%장령%류유취%증범명%류보림
GaN%发光二极管%感应耦合等离子体(ICP)刻蚀%侧壁粗化%出光效率
GaN%髮光二極管%感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕%側壁粗化%齣光效率
GaN%발광이겁관%감응우합등리자체(ICP)각식%측벽조화%출광효솔
GaN%light-emitting diode (LED)%inductively coupled plasma (ICP) etching%sidewall texturing%light output efficiency
采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何微元结构的改变,光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增加.结果表明,注入电流为350 mA时,具有三角状侧壁粗化结构的LED芯片比传统LED芯片的输出光功率增加20.6％,出光效率提升20.5％,并且侧壁粗化后不会影响LED芯片的电学性能和发光稳定性.光强空间分布特性显示,发光强度的增加主要位于-35°～-20°和+20°～+35°的斜角范围内.
採用工藝成熟且成本低廉的芯片技術實現側壁粗化以提高GaN基髮光二極管(LED)的齣光效率是備受關註的研究課題.通過普通光刻技術和感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕技術在器件內部引入側壁粗化結構,有效提高瞭LED芯片的齣光效率.由于側壁幾何微元結構的改變,光線到達該界麵位置處的全反射作用得到抑製而使芯片的齣光總量增加.結果錶明,註入電流為350 mA時,具有三角狀側壁粗化結構的LED芯片比傳統LED芯片的輸齣光功率增加20.6％,齣光效率提升20.5％,併且側壁粗化後不會影響LED芯片的電學性能和髮光穩定性.光彊空間分佈特性顯示,髮光彊度的增加主要位于-35°～-20°和+20°～+35°的斜角範圍內.
채용공예성숙차성본저렴적심편기술실현측벽조화이제고GaN기발광이겁관(LED)적출광효솔시비수관주적연구과제.통과보통광각기술화감응우합등리자체(ICP)각식기술재기건내부인입측벽조화결구,유효제고료LED심편적출광효솔.유우측벽궤하미원결구적개변,광선도체해계면위치처적전반사작용득도억제이사심편적출광총량증가.결과표명,주입전류위350 mA시,구유삼각상측벽조화결구적LED심편비전통LED심편적수출광공솔증가20.6％,출광효솔제승20.5％,병차측벽조화후불회영향LED심편적전학성능화발광은정성.광강공간분포특성현시,발광강도적증가주요위우-35°～-20°화+20°～+35°적사각범위내.
