中国科技论文
中國科技論文
중국과기논문
Sciencepaper Online
2015年
11期
1329-1333
,共5页
王森%张全江%田俊%方海生
王森%張全江%田俊%方海生
왕삼%장전강%전준%방해생
多晶硅%冷却过程%位错密度%米塞斯力
多晶硅%冷卻過程%位錯密度%米塞斯力
다정규%냉각과정%위착밀도%미새사력
polycrystalline silicon%cooling process%dislocation density%von Mises stress
为了提高大尺寸多晶硅锭质量,本文对多晶硅定向凝固系统冷却过程进行瞬态数值模拟,研究了不同冷却时刻炉体内温度场、流场及硅锭内应力场瞬态变化,隔热底板位移按直线、正弦及抛物线规律变化时,硅锭内部最大米塞斯力及无位错面积百分比随时间的变化,以及不同入口气体速率对硅锭内部最大米塞斯力的影响。计算结果表明:隔热底板位移按正弦规律变化更有助于提高多晶硅锭质量;冷却结束时硅锭内最大米塞斯力随入口流速的增加而增大;冷却初始阶段,增大入口气体速率有利于降低硅锭内部最大米塞斯力。
為瞭提高大呎吋多晶硅錠質量,本文對多晶硅定嚮凝固繫統冷卻過程進行瞬態數值模擬,研究瞭不同冷卻時刻爐體內溫度場、流場及硅錠內應力場瞬態變化,隔熱底闆位移按直線、正絃及拋物線規律變化時,硅錠內部最大米塞斯力及無位錯麵積百分比隨時間的變化,以及不同入口氣體速率對硅錠內部最大米塞斯力的影響。計算結果錶明:隔熱底闆位移按正絃規律變化更有助于提高多晶硅錠質量;冷卻結束時硅錠內最大米塞斯力隨入口流速的增加而增大;冷卻初始階段,增大入口氣體速率有利于降低硅錠內部最大米塞斯力。
위료제고대척촌다정규정질량,본문대다정규정향응고계통냉각과정진행순태수치모의,연구료불동냉각시각로체내온도장、류장급규정내응력장순태변화,격열저판위이안직선、정현급포물선규률변화시,규정내부최대미새사력급무위착면적백분비수시간적변화,이급불동입구기체속솔대규정내부최대미새사력적영향。계산결과표명:격열저판위이안정현규률변화경유조우제고다정규정질량;냉각결속시규정내최대미새사력수입구류속적증가이증대;냉각초시계단,증대입구기체속솔유리우강저규정내부최대미새사력。
To improve the quality of large-scale polycrystalline silicon ingot,a global transient model was carried out to investigate the cooling process of polycrystalline silicon directional solidification systems.The main contents include:Firstly,the transient development of the thermal field,flow field and the stress distribution of silicon ingot at different cooling time.Secondly,the maximum von Mises stress and area fraction of the dislocation-free regions under different motions of the bottom insulated plate. Thirdly,the effect of the inlet gas velocity on the maximum von Mises.The results show that a sinusoidal variation for the bot-tom insulated plate displacement may be better to improve the ingot quality.At the end of the cooling process,the maximum von Mises stress goes up as the inlet gas velocity increases,howerver,in the initial stage,it is helpful to decrease the maximum stress with small inlet gas velocity.