电工技术学报
電工技術學報
전공기술학보
TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY
2015年
9期
79-86
,共8页
王蓓蓓%郑琼林%张捷频%李艳
王蓓蓓%鄭瓊林%張捷頻%李豔
왕배배%정경림%장첩빈%리염
无源无损软开关%压控可变电容%附加损耗%辅助电源
無源無損軟開關%壓控可變電容%附加損耗%輔助電源
무원무손연개관%압공가변전용%부가손모%보조전원
Passive lossless snubber%voltage controlled variable capacitor%additional loss%auxiliary voltage source
在无源无损软开关中采用压控可变电容的方法来进一步减少IGBT的关断损耗,从而缓解其散热压力.该压控可变电容由两个缓冲电容和辅助MOSFET构成,其控制方法简单,可自动实现电容容值的变换.同时,辅助MOSFET由其串联支路上的电容电压和辅助电源控制.在IGBT关断之前,MOSFET由于其控制信号为高电平而处于导通状态,因此当IGBT关断时,可变电容等效为两个电容并联,从而表现为大电容特性,减少其CE两端电压的上升斜率;当MOSFET的控制信号下降到关断阈值时,可变电容表现为小电容特性,从而快速达到IGBT的关断稳态.依据可变电容的理论波形对其工作原理进行详细分析,并对该无源无损软开关回路中额外损耗进行理论计算.最后通过搭建Buck变换器的实验平台对上述理论进行验证.
在無源無損軟開關中採用壓控可變電容的方法來進一步減少IGBT的關斷損耗,從而緩解其散熱壓力.該壓控可變電容由兩箇緩遲電容和輔助MOSFET構成,其控製方法簡單,可自動實現電容容值的變換.同時,輔助MOSFET由其串聯支路上的電容電壓和輔助電源控製.在IGBT關斷之前,MOSFET由于其控製信號為高電平而處于導通狀態,因此噹IGBT關斷時,可變電容等效為兩箇電容併聯,從而錶現為大電容特性,減少其CE兩耑電壓的上升斜率;噹MOSFET的控製信號下降到關斷閾值時,可變電容錶現為小電容特性,從而快速達到IGBT的關斷穩態.依據可變電容的理論波形對其工作原理進行詳細分析,併對該無源無損軟開關迴路中額外損耗進行理論計算.最後通過搭建Buck變換器的實驗平檯對上述理論進行驗證.
재무원무손연개관중채용압공가변전용적방법래진일보감소IGBT적관단손모,종이완해기산열압력.해압공가변전용유량개완충전용화보조MOSFET구성,기공제방법간단,가자동실현전용용치적변환.동시,보조MOSFET유기천련지로상적전용전압화보조전원공제.재IGBT관단지전,MOSFET유우기공제신호위고전평이처우도통상태,인차당IGBT관단시,가변전용등효위량개전용병련,종이표현위대전용특성,감소기CE량단전압적상승사솔;당MOSFET적공제신호하강도관단역치시,가변전용표현위소전용특성,종이쾌속체도IGBT적관단은태.의거가변전용적이론파형대기공작원리진행상세분석,병대해무원무손연개관회로중액외손모진행이론계산.최후통과탑건Buck변환기적실험평태대상술이론진행험증.
