宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2015年
3期
34-38
,共5页
肖伟玲%肖鹏%周伟%罗衡%李杨
肖偉玲%肖鵬%週偉%囉衡%李楊
초위령%초붕%주위%라형%리양
SiC%Cf%Si3N4%力学性能%介电性能
SiC%Cf%Si3N4%力學性能%介電性能
SiC%Cf%Si3N4%역학성능%개전성능
SiC%Cf%Si3N4%Mechanical property%Dielectric property
采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC) Cf/Si3N4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC) Cf形貌的影响.同时研究了(SiC) Cf的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC) Cf含量达到10wt％时,样品的抗弯强度比纯Si3N4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m1/2,介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15～18,虚部约为6～8;反射衰减随(SiC)Cf的含量和厚度的增加而向低频移动.
採用CVD法製備瞭SiC塗層包覆短碳纖維,併通過凝膠註模成型工藝製備瞭(SiC) Cf/Si3N4複閤陶瓷,探討瞭燒結溫度對複閤陶瓷中(SiC) Cf形貌的影響.同時研究瞭(SiC) Cf的含量對複閤陶瓷力學以及介電性能的影響,噹(SiC) Cf含量達到10wt％時,樣品的抗彎彊度比純Si3N4陶瓷降低瞭112 MPa,但斷裂韌性顯著提高,增加瞭11.5 MPa·m1/2,介電常數實部和虛部達到最大,介電實部約為15～18,虛部約為6～8;反射衰減隨(SiC)Cf的含量和厚度的增加而嚮低頻移動.
채용CVD법제비료SiC도층포복단탄섬유,병통과응효주모성형공예제비료(SiC) Cf/Si3N4복합도자,탐토료소결온도대복합도자중(SiC) Cf형모적영향.동시연구료(SiC) Cf적함량대복합도자역학이급개전성능적영향,당(SiC) Cf함량체도10wt％시,양품적항만강도비순Si3N4도자강저료112 MPa,단단렬인성현저제고,증가료11.5 MPa·m1/2,개전상수실부화허부체도최대,개전실부약위15～18,허부약위6～8;반사쇠감수(SiC)Cf적함량화후도적증가이향저빈이동.
