真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2015年
2期
38-40
,共3页
李娜%邵文生%高玉娟%朱木易%周增林
李娜%邵文生%高玉娟%硃木易%週增林
리나%소문생%고옥연%주목역%주증림
阴极%钪%发射电流密度
陰極%鈧%髮射電流密度
음겁%항%발사전류밀도
Cathode%Scandium%Emission current density
本文对钪酸盐浸渍式扩散阴极进行制备与研究.选择平均粒径为1.3 μm的钨粉进行阴极基体的制备,通过对压制、烧结、浸渍工艺的控制获得含钪扩散阴极.对阴极基体粉末和钪酸盐阴极进行分析,并对阴极进行了脉冲发射测试、Miram曲线和有效功函数分布(PWFD)的测试,并将结果与普通浸渍式含钪扩散阴极进行了比较.研究结果表明:阴极的脉冲发射电流密度在950℃拐点电流密度为62.17 A/cm2.测试温度为1000和1050℃时,没有测得阴极的饱和电流,测得的阴极最大脉冲发射电流密度分别为111.97,122.46 A/cm2.由Miram曲线和PWFD测得阴极的逸出功为1.47 eV.
本文對鈧痠鹽浸漬式擴散陰極進行製備與研究.選擇平均粒徑為1.3 μm的鎢粉進行陰極基體的製備,通過對壓製、燒結、浸漬工藝的控製穫得含鈧擴散陰極.對陰極基體粉末和鈧痠鹽陰極進行分析,併對陰極進行瞭脈遲髮射測試、Miram麯線和有效功函數分佈(PWFD)的測試,併將結果與普通浸漬式含鈧擴散陰極進行瞭比較.研究結果錶明:陰極的脈遲髮射電流密度在950℃枴點電流密度為62.17 A/cm2.測試溫度為1000和1050℃時,沒有測得陰極的飽和電流,測得的陰極最大脈遲髮射電流密度分彆為111.97,122.46 A/cm2.由Miram麯線和PWFD測得陰極的逸齣功為1.47 eV.
본문대항산염침지식확산음겁진행제비여연구.선택평균립경위1.3 μm적오분진행음겁기체적제비,통과대압제、소결、침지공예적공제획득함항확산음겁.대음겁기체분말화항산염음겁진행분석,병대음겁진행료맥충발사측시、Miram곡선화유효공함수분포(PWFD)적측시,병장결과여보통침지식함항확산음겁진행료비교.연구결과표명:음겁적맥충발사전류밀도재950℃괴점전류밀도위62.17 A/cm2.측시온도위1000화1050℃시,몰유측득음겁적포화전류,측득적음겁최대맥충발사전류밀도분별위111.97,122.46 A/cm2.유Miram곡선화PWFD측득음겁적일출공위1.47 eV.
