强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2015年
6期
102-106
,共5页
阵列探测器%CMOS图像传感器%电串扰%感光面积
陣列探測器%CMOS圖像傳感器%電串擾%感光麵積
진렬탐측기%CMOS도상전감기%전천우%감광면적
array detector%CMOS image sensors%electrical crosstalk%active area
在利用CMOS阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件成像质量.为了更好地了解串扰对器件响应过程的影响,针对CMOS图像传感器的电串扰特性进行了分析,建立了电串扰数学分析模型,对电串扰的大小进行了定量计算.具体分析了不同扩散长度、感光面积、耗尽层宽度、像素尺寸和温度对电串扰的影响.分析结果表明,感光面积、耗尽层宽度与像素尺寸对电串扰的影响最大,扩散长度和温度对电串扰的影响相对较小.感光面积由3.8 μm2增加到12.8 μm2后,归一化的电串扰减小了约13％;像素尺寸由7μm×7μm增加为15μm×15μm时,电串扰增加了约95.4％;温度由100 K增加到180 K后,电串扰下降了约0.6％.
在利用CMOS陣列探測器成像時,探測陣列單元間的串擾將直接影響器件成像質量.為瞭更好地瞭解串擾對器件響應過程的影響,針對CMOS圖像傳感器的電串擾特性進行瞭分析,建立瞭電串擾數學分析模型,對電串擾的大小進行瞭定量計算.具體分析瞭不同擴散長度、感光麵積、耗儘層寬度、像素呎吋和溫度對電串擾的影響.分析結果錶明,感光麵積、耗儘層寬度與像素呎吋對電串擾的影響最大,擴散長度和溫度對電串擾的影響相對較小.感光麵積由3.8 μm2增加到12.8 μm2後,歸一化的電串擾減小瞭約13％;像素呎吋由7μm×7μm增加為15μm×15μm時,電串擾增加瞭約95.4％;溫度由100 K增加到180 K後,電串擾下降瞭約0.6％.
재이용CMOS진렬탐측기성상시,탐측진렬단원간적천우장직접영향기건성상질량.위료경호지료해천우대기건향응과정적영향,침대CMOS도상전감기적전천우특성진행료분석,건립료전천우수학분석모형,대전천우적대소진행료정량계산.구체분석료불동확산장도、감광면적、모진층관도、상소척촌화온도대전천우적영향.분석결과표명,감광면적、모진층관도여상소척촌대전천우적영향최대,확산장도화온도대전천우적영향상대교소.감광면적유3.8 μm2증가도12.8 μm2후,귀일화적전천우감소료약13％;상소척촌유7μm×7μm증가위15μm×15μm시,전천우증가료약95.4％;온도유100 K증가도180 K후,전천우하강료약0.6％.
