发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2015年
5期
552-556
,共5页
崔猛%谢生%毛陆虹%郭维廉%张世林%武雷%谢荣
崔猛%謝生%毛陸虹%郭維廉%張世林%武雷%謝榮
최맹%사생%모륙홍%곽유렴%장세림%무뢰%사영
硅基发光二极管%正向注入%楔形结构%标准CMOS工艺
硅基髮光二極管%正嚮註入%楔形結構%標準CMOS工藝
규기발광이겁관%정향주입%설형결구%표준CMOS공예
Si-based light emitting diode%forward-injection%wedge configuration%standard CMOS technology
基于标准CMOS工艺的p+源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管(Si-LED),采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备.测试结果表明,正向注入型p+/n-well二极管的发射波长位于近红外波段,峰值波长在l 130 nm附近,且工作电压小于2V,与标准CMOS电路兼容.其中,八瓣结构的Si-LED (TS2)在200 mA时的发光功率可达1 200 nW,且未出现饱和,而注入电流为40 mA时的最大功率转换效率达5.8×10-6,约为四瓣结构器件(TSl)的2倍.所研制的Si-LED具有工作电压低、转换效率高等优点,有望在光互连领域得到应用.
基于標準CMOS工藝的p+源/漏區和n阱,設計瞭兩種楔形瓣狀結構的正嚮註入型硅基髮光二極管(Si-LED),採用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工藝設計製備.測試結果錶明,正嚮註入型p+/n-well二極管的髮射波長位于近紅外波段,峰值波長在l 130 nm附近,且工作電壓小于2V,與標準CMOS電路兼容.其中,八瓣結構的Si-LED (TS2)在200 mA時的髮光功率可達1 200 nW,且未齣現飽和,而註入電流為40 mA時的最大功率轉換效率達5.8×10-6,約為四瓣結構器件(TSl)的2倍.所研製的Si-LED具有工作電壓低、轉換效率高等優點,有望在光互連領域得到應用.
기우표준CMOS공예적p+원/루구화n정,설계료량충설형판상결구적정향주입형규기발광이겁관(Si-LED),채용UMC 0.18μm 1P6M CMOS공예설계제비.측시결과표명,정향주입형p+/n-well이겁관적발사파장위우근홍외파단,봉치파장재l 130 nm부근,차공작전압소우2V,여표준CMOS전로겸용.기중,팔판결구적Si-LED (TS2)재200 mA시적발광공솔가체1 200 nW,차미출현포화,이주입전류위40 mA시적최대공솔전환효솔체5.8×10-6,약위사판결구기건(TSl)적2배.소연제적Si-LED구유공작전압저、전환효솔고등우점,유망재광호련영역득도응용.
