发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2015年
5期
534-538
,共5页
InGaN%太阳电池%p-i-n结构
InGaN%太暘電池%p-i-n結構
InGaN%태양전지%p-i-n결구
InGaN%solar cell%p-i-n structure
研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.
研究瞭p-lnGaN層厚度對p-i-n結構InGaN太暘電池性能的影響.模擬計算髮現,隨著p-InGaN層厚度的增加,InGaN太暘電池效率降低.較差的p-InGaN歐姆接觸特性會破壞InGaN太暘電池性能.計算結果還錶明,無論歐姆接觸特性好壞,隨著p-InGaN層厚度的增加,短路電流下降是導緻InGaN電池效率降低的主要原因.選擇較薄的p-InGaN層有利于提高p-i-n結構InGaN太暘電池的效率.
연구료p-lnGaN층후도대p-i-n결구InGaN태양전지성능적영향.모의계산발현,수착p-InGaN층후도적증가,InGaN태양전지효솔강저.교차적p-InGaN구모접촉특성회파배InGaN태양전지성능.계산결과환표명,무론구모접촉특성호배,수착p-InGaN층후도적증가,단로전류하강시도치InGaN전지효솔강저적주요원인.선택교박적p-InGaN층유리우제고p-i-n결구InGaN태양전지적효솔.
