电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2015年
6期
1239-1241
,共3页
杨勇洲%高斐%刘生忠%贾锐
楊勇洲%高斐%劉生忠%賈銳
양용주%고비%류생충%가예
纳米线%太阳电池%电极接触%激光刻蚀
納米線%太暘電池%電極接觸%激光刻蝕
납미선%태양전지%전겁접촉%격광각식
nanowire%solar cell%electrode contact%laser ablation
通过银诱导湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上制备了硅纳米线阵列.硅纳米线阵列具有很好的陷光作用和超低的表面反射,在300～1 000 nm光波长范围,即使没有Si3N4减反射膜,反射率能降低到5％.为了克服电极接触性能差的缺点,用激光刻蚀的方法选择性地刻蚀掉电极下的硅纳米线阵列,形成电极接触的平坦区域.采用对准丝网印刷的方法将电极印刷在平坦区域.测试结果显示激光刻蚀技术的引入有效改善了电极的接触性能,串联电阻从～1.81 Ω降低到了～0.64 Ω.
通過銀誘導濕法腐蝕的方法在晶硅襯底上製備瞭硅納米線陣列.硅納米線陣列具有很好的陷光作用和超低的錶麵反射,在300～1 000 nm光波長範圍,即使沒有Si3N4減反射膜,反射率能降低到5％.為瞭剋服電極接觸性能差的缺點,用激光刻蝕的方法選擇性地刻蝕掉電極下的硅納米線陣列,形成電極接觸的平坦區域.採用對準絲網印刷的方法將電極印刷在平坦區域.測試結果顯示激光刻蝕技術的引入有效改善瞭電極的接觸性能,串聯電阻從～1.81 Ω降低到瞭～0.64 Ω.
통과은유도습법부식적방법재정규츤저상제비료규납미선진렬.규납미선진렬구유흔호적함광작용화초저적표면반사,재300～1 000 nm광파장범위,즉사몰유Si3N4감반사막,반사솔능강저도5％.위료극복전겁접촉성능차적결점,용격광각식적방법선택성지각식도전겁하적규납미선진렬,형성전겁접촉적평탄구역.채용대준사망인쇄적방법장전겁인쇄재평탄구역.측시결과현시격광각식기술적인입유효개선료전겁적접촉성능,천련전조종～1.81 Ω강저도료～0.64 Ω.
