电测与仪表
電測與儀錶
전측여의표
ELECTRICAL MEASUREMENT & INSTRUMENTATION
2015年
11期
74-78
,共5页
SiC MOSFET%开关特性%驱动电路%双脉冲实验
SiC MOSFET%開關特性%驅動電路%雙脈遲實驗
SiC MOSFET%개관특성%구동전로%쌍맥충실험
SiC MOSFET%switching characteristics%driver circuit%double-pulse experiment
在实际工程应用的基础上，针对50kW／1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOS-FET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。
在實際工程應用的基礎上，針對50kW／1MHz的高頻感應加熱大功率SiC MOSFET電路要求及SiC MOS-FET開關特性進行開髮研究。通過對SiC MOSFET的開通過程特性進行詳細研究，得齣使其可靠、安全驅動的要求，在現有已經成熟應用的Si MOSFET驅動電路基礎上對其進行改進，研究適閤工作在兆赫範圍內的SiC MOSFET驅動電路。併採用雙脈遲實驗驗證所設計驅動電路的基本特性及確定最佳門極電阻參數。
재실제공정응용적기출상，침대50kW／1MHz적고빈감응가열대공솔SiC MOSFET전로요구급SiC MOS-FET개관특성진행개발연구。통과대SiC MOSFET적개통과정특성진행상세연구，득출사기가고、안전구동적요구，재현유이경성숙응용적Si MOSFET구동전로기출상대기진행개진，연구괄합공작재조혁범위내적SiC MOSFET구동전로。병채용쌍맥충실험험증소설계구동전로적기본특성급학정최가문겁전조삼수。
On the basis of project application , one kind of driver circuit for SiC MOSFET was discussed according to the requirements of 50kW/1MHz high power SiC MOSFET circuit , and the switching characteristics of SiC MOSFET . Through researching the process of opening the characteristics of SiC MOSFET in detail , come to make its reliable , safe driving requirements , to improve it in Si MOSFET driver circuit-based applications on existing mature , research for the job in the megahertz range of SiC MOSFET driver circuit .The basic characteristics of the driver circuit using double-pulse experiments verify the basic characteristics of designed driver circuit and determine the optimal parame -ters of the gate resistance .
