激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2015年
6期
646-649
,共4页
硅基碲镉汞%分子束外延%短波碲镉汞外延%短/中波双色碲镉汞
硅基碲鎘汞%分子束外延%短波碲鎘汞外延%短/中波雙色碲鎘汞
규기제력홍%분자속외연%단파제력홍외연%단/중파쌍색제력홍
Si based HgCdTe%MBE%SW-HgCdTe%SW/MW dual-band HgCdTe
报道了在中波工艺基础上，Si 基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展，通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波 Si 基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了 Si 基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线；获得的 Si 基短波 HgCdTe 材料表面光亮、均匀，表面缺陷密度小于3000 cm －2；基于此技术成功制备出了 Si 基短／中波双色材料。
報道瞭在中波工藝基礎上，Si 基碲鎘汞分子束外延短波工藝的最新研究進展，通過溫度標定、使用反射式高能電子衍射、高溫計的在線測量和現有的中波 Si 基碲鎘汞溫度控製麯線建立及優化瞭 Si 基碲鎘汞短波材料的生長溫度控製麯線；穫得的 Si 基短波 HgCdTe 材料錶麵光亮、均勻，錶麵缺陷密度小于3000 cm －2；基于此技術成功製備齣瞭 Si 基短／中波雙色材料。
보도료재중파공예기출상，Si 기제력홍분자속외연단파공예적최신연구진전，통과온도표정、사용반사식고능전자연사、고온계적재선측량화현유적중파 Si 기제력홍온도공제곡선건립급우화료 Si 기제력홍단파재료적생장온도공제곡선；획득적 Si 기단파 HgCdTe 재료표면광량、균균，표면결함밀도소우3000 cm －2；기우차기술성공제비출료 Si 기단／중파쌍색재료。
Based on the fabrication technology of MW HgCdTe,the recent research progress on molecular beam epitaxy growth of SW-HgCdTe on Si composite substrate is reported.Through the original temperature calibration,the use of in-situ measurements such as RHEED and pyrometry,the temperature-controlling figure profile of MW-MCT,a cus-tomized temperature-controlling figure profile for SW-MCT was built and optimized.The defects density of optimized Si based SW-HgCdTe is less than 3000 cm -2 and the surface is smooth and uniform.SW/MW dual-band HgCdTe has been also fabricated based on this technology.
