CAJ | 학술논문

为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了InP衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5 ～1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16％,850 nm处量子效率约为54％,1 550 nm处量子效率约为91％.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.
위료실현InGaAs탐측기향응파단향가견증강,재전통적외연재료중가입일층InGaAs부식조당층,제비료32×32원평면형InGaAs면진탐측기,채용궤계포광화화학습법부식상결합적방법,거제료InP츤저.결과표명,탐측기적향응파단위0.5 ～1.7μm,실온하재파장위500 nm처적양자효솔약위16％,850 nm처양자효솔약위54％,1 550 nm처양자효솔약위91％.암전류대소여츤저감박지전기본보지일치.이론분석료재료삼수대기건양자효솔적영향,위진일보우화가견파단탐측기적양자효솔제공료의거.