河南工程学院学报（自然科学版）
河南工程學院學報（自然科學版）
하남공정학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENNAN INSTITUTE OF ENGINEERING(NATURAL SCIENCE EDITION)
2015年
2期
78-80
,共3页
稀磁半导体%第一性原理%电子结构%磁性质
稀磁半導體%第一性原理%電子結構%磁性質
희자반도체%제일성원리%전자결구%자성질
diluted magnetic semiconductor%first principle calculations%electronic structure%magnetic properties
基于第一性原理计算方法，研究了Mn掺杂GaAs体系的电子结构、磁结构及磁性来源．首先，计算研究了GaAs的电子结构，证实其半导体性质；其次，发现Mn掺杂浓度为6．25%的GaAs体系的稳定磁结构为铁磁构型，其态密度仍具有半导体性质，分析其磁性主要来源于Mn原子．
基于第一性原理計算方法，研究瞭Mn摻雜GaAs體繫的電子結構、磁結構及磁性來源．首先，計算研究瞭GaAs的電子結構，證實其半導體性質；其次，髮現Mn摻雜濃度為6．25%的GaAs體繫的穩定磁結構為鐵磁構型，其態密度仍具有半導體性質，分析其磁性主要來源于Mn原子．
기우제일성원리계산방법，연구료Mn참잡GaAs체계적전자결구、자결구급자성래원．수선，계산연구료GaAs적전자결구，증실기반도체성질；기차，발현Mn참잡농도위6．25%적GaAs체계적은정자결구위철자구형，기태밀도잉구유반도체성질，분석기자성주요래원우Mn원자．
Using first principles calculation method,we study the electronic structures,magnetic order and the origination of mag-netism of Mn doped GaAs. Firstly,the calculated electronic structure shows that GaAs is semiconductor. Secondly,it is found that the 6. 25% Mn doped GaAs system is stable in FM configuration. The density of states illustrates a semiconductor structure and the mag-netic moment mainly comes from Mn atom.
