电子制作
電子製作
전자제작
ELECTRONICS DIY
2015年
16期
1-2
,共2页
低噪声%高线性度%微弱信号%低频率
低譟聲%高線性度%微弱信號%低頻率
저조성%고선성도%미약신호%저빈솔
该文提供了一个应用于神经信号调理电路中的低噪声放大器。当MOSFET工作于亚阈值状态时，在低频段可以产生很小的闪烁噪声和超高阻值，正适合于神经信号调理电路的应用。放大器选用全差分结构，以提高开环增益，保证输出信号的较高信噪比。该文采用SMIC 0.18um 1P6M CMOS工艺，1.8V电源供电。滤波器整体噪声功率谱密度noise@1kHz=246.5nV/sprt(Hz)。滤波器自身信噪比97.59dB,后接ADC（自身输出信号比95dB）输出信号信噪比为94 dB，有较好的驱动能力，与理想信号源较为接近。
該文提供瞭一箇應用于神經信號調理電路中的低譟聲放大器。噹MOSFET工作于亞閾值狀態時，在低頻段可以產生很小的閃爍譟聲和超高阻值，正適閤于神經信號調理電路的應用。放大器選用全差分結構，以提高開環增益，保證輸齣信號的較高信譟比。該文採用SMIC 0.18um 1P6M CMOS工藝，1.8V電源供電。濾波器整體譟聲功率譜密度noise@1kHz=246.5nV/sprt(Hz)。濾波器自身信譟比97.59dB,後接ADC（自身輸齣信號比95dB）輸齣信號信譟比為94 dB，有較好的驅動能力，與理想信號源較為接近。
해문제공료일개응용우신경신호조리전로중적저조성방대기。당MOSFET공작우아역치상태시，재저빈단가이산생흔소적섬삭조성화초고조치，정괄합우신경신호조리전로적응용。방대기선용전차분결구，이제고개배증익，보증수출신호적교고신조비。해문채용SMIC 0.18um 1P6M CMOS공예，1.8V전원공전。려파기정체조성공솔보밀도noise@1kHz=246.5nV/sprt(Hz)。려파기자신신조비97.59dB,후접ADC（자신수출신호비95dB）수출신호신조비위94 dB，유교호적구동능력，여이상신호원교위접근。
