应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2015年
4期
606-611
,共6页
车振%张军%余新宇%陈哲
車振%張軍%餘新宇%陳哲
차진%장군%여신우%진철
倒装芯片%蓝宝石衬底%半球型图形%光提取效率
倒裝芯片%藍寶石襯底%半毬型圖形%光提取效率
도장심편%람보석츤저%반구형도형%광제취효솔
flip-chip LED%double-sided patterned sapphire substrate%hemispherical patterns%light extraction efficiency
为了提高GaN基LED芯片的光提取效率,以GaN基LED芯片为研究对象,建立了在蓝宝石衬底出光面和外延生长面上具有半球型图形的LED倒装芯片模型,并利用光学仿真软件对图形参数进行优化设计.实验结果表明:在蓝宝石衬底的出光面和外延生长面双面都制作凹半球型图形对芯片光提取效率的提高效果最好,并且当半球的半径为3 μm,周期间距为7 μm时,GaN基LED倒装芯片的最大光提取效率为50.8%,比无图形化倒装芯片的光提取效率提高了115.3%.
為瞭提高GaN基LED芯片的光提取效率,以GaN基LED芯片為研究對象,建立瞭在藍寶石襯底齣光麵和外延生長麵上具有半毬型圖形的LED倒裝芯片模型,併利用光學倣真軟件對圖形參數進行優化設計.實驗結果錶明:在藍寶石襯底的齣光麵和外延生長麵雙麵都製作凹半毬型圖形對芯片光提取效率的提高效果最好,併且噹半毬的半徑為3 μm,週期間距為7 μm時,GaN基LED倒裝芯片的最大光提取效率為50.8%,比無圖形化倒裝芯片的光提取效率提高瞭115.3%.
위료제고GaN기LED심편적광제취효솔,이GaN기LED심편위연구대상,건립료재람보석츤저출광면화외연생장면상구유반구형도형적LED도장심편모형,병이용광학방진연건대도형삼수진행우화설계.실험결과표명:재람보석츤저적출광면화외연생장면쌍면도제작요반구형도형대심편광제취효솔적제고효과최호,병차당반구적반경위3 μm,주기간거위7 μm시,GaN기LED도장심편적최대광제취효솔위50.8%,비무도형화도장심편적광제취효솔제고료115.3%.