科技视界
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과기시계
Science&Technology Vision
2015年
16期
187-188
,共2页
C族元素%Si%能带%态密度
C族元素%Si%能帶%態密度
C족원소%Si%능대%태밀도
单晶硅的性质对所含杂质与缺陷十分敏感.于是,为了在硅上获得适合于实际应用的光发射,人们对Si材料的改性主要采取引入与控制杂质和缺陷的方法,期望获得有效的发光中心,近年来,Si材料的掺杂改性在实验和理论上都获得了广泛的关注.本文通过第一性原理的方法计算在硅中掺入C、Si、Ge、Sn、Pb等第四主族元素,来对它们的性质进行计算模拟,为Si的掺杂改性做理论分析指导.
單晶硅的性質對所含雜質與缺陷十分敏感.于是,為瞭在硅上穫得適閤于實際應用的光髮射,人們對Si材料的改性主要採取引入與控製雜質和缺陷的方法,期望穫得有效的髮光中心,近年來,Si材料的摻雜改性在實驗和理論上都穫得瞭廣汎的關註.本文通過第一性原理的方法計算在硅中摻入C、Si、Ge、Sn、Pb等第四主族元素,來對它們的性質進行計算模擬,為Si的摻雜改性做理論分析指導.
단정규적성질대소함잡질여결함십분민감.우시,위료재규상획득괄합우실제응용적광발사,인문대Si재료적개성주요채취인입여공제잡질화결함적방법,기망획득유효적발광중심,근년래,Si재료적참잡개성재실험화이론상도획득료엄범적관주.본문통과제일성원리적방법계산재규중참입C、Si、Ge、Sn、Pb등제사주족원소,래대타문적성질진행계산모의,위Si적참잡개성주이론분석지도.
