电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2015年
8期
69-72
,共4页
绝缘栅双极晶体管%串联%高电位自取能
絕緣柵雙極晶體管%串聯%高電位自取能
절연책쌍겁정체관%천련%고전위자취능
insulated gated bipolar transistor%series%high potential of self energy
基于压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的串联型电压源换流器具有结构紧凑、控制保护简单等诸多优点,因此该电压源换流器应用广泛,驱动保护控制是压接型IGBT串联应用中最核心的技术.驱动保护控制电路通过何种方式获得电能是实现驱动保护技术必须要考虑的问题之一.由于压接型IGBT串联应用的主要优势领域为高压柔性直流输电,所以只有高电位自取能方式是可行的.此处首先提出在串联的压接型IGBT上独立实现高电位自取能,其次通过实验波形分析研究高位自取能对串联IGBT阀端电压静态平衡的影响机理,最后提出高电位自取能方案所要满足的技术指标以及关键技术参数设计方法,为串联IGBT驱动保护电路如何实现稳定的供电提供理论基础.
基于壓接型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的串聯型電壓源換流器具有結構緊湊、控製保護簡單等諸多優點,因此該電壓源換流器應用廣汎,驅動保護控製是壓接型IGBT串聯應用中最覈心的技術.驅動保護控製電路通過何種方式穫得電能是實現驅動保護技術必鬚要攷慮的問題之一.由于壓接型IGBT串聯應用的主要優勢領域為高壓柔性直流輸電,所以隻有高電位自取能方式是可行的.此處首先提齣在串聯的壓接型IGBT上獨立實現高電位自取能,其次通過實驗波形分析研究高位自取能對串聯IGBT閥耑電壓靜態平衡的影響機理,最後提齣高電位自取能方案所要滿足的技術指標以及關鍵技術參數設計方法,為串聯IGBT驅動保護電路如何實現穩定的供電提供理論基礎.
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