微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2015年
4期
8-10,14
,共4页
带隙基准%低温度系数%基极电流补偿
帶隙基準%低溫度繫數%基極電流補償
대극기준%저온도계수%기겁전류보상
Bandgap references%Low temperature coefficient%Base current compensation
采用两个三级管基极－发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS 工艺中，三级管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用 TSMC 0．25μm 工艺，经过 spectre 仿真验证，进行－55℃－125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm ／℃，加入基极电流补偿电路后电源电流只增加了0．5μA。
採用兩箇三級管基極－髮射極串聯的帶隙基準可以降低運放失調電壓的影響，但是在CMOS 工藝中，三級管的正嚮電流放大倍數β很小，導緻三極管基極電流的分流會對髮射極電流產生很大影響，帶隙基準輸齣存在較大溫漂。為瞭解決這箇問題，提齣瞭一種帶基極電流補償的低溫度繫數帶隙基準源電路。電路設計採用 TSMC 0．25μm 工藝，經過 spectre 倣真驗證，進行－55℃－125℃的溫區掃描，基準隨溫度變化範圍為1．85mV，相應的溫漂繫數為8．44ppm ／℃，加入基極電流補償電路後電源電流隻增加瞭0．5μA。
채용량개삼급관기겁－발사겁천련적대극기준가이강저운방실조전압적영향，단시재CMOS 공예중，삼급관적정향전류방대배수β흔소，도치삼겁관기겁전류적분류회대발사겁전유산생흔대영향，대극기준수출존재교대온표。위료해결저개문제，제출료일충대기겁전류보상적저온도계수대극기준원전로。전로설계채용 TSMC 0．25μm 공예，경과 spectre 방진험증，진행－55℃－125℃적온구소묘，기준수온도변화범위위1．85mV，상응적온표계수위8．44ppm ／℃，가입기겁전류보상전로후전원전류지증가료0．5μA。
The effect,caused by the input offset of the operational amplifier,can be reduced by the utilization of two bipolar in series in bandgap references.But in CMOS process,the forward beta is so small that the current of base has a significant effect on the collector current,which leads to a large drift for the reference voltage.To solve this problem,a base current compensating technique is proposed in a low temperature coefficient bandgap reference.The circuit adopts TSMC 0.25μm process,the simulation results show that the temperature coefficient is 8.44ppm/℃,the reference drift 1.85mV within -55℃ to 125℃.The current of the power only increases 0.5 μA after adopting base current compensation circuit.
