企业技术开发（下半月）
企業技術開髮（下半月）
기업기술개발（하반월）
TECHNOLOGICAL DEVELOPMENT OF ENTERPRISE
2015年
16期
13-14
,共2页
CMOS环形振荡器%低功耗振荡器%温度补偿%锁相环
CMOS環形振盪器%低功耗振盪器%溫度補償%鎖相環
CMOS배형진탕기%저공모진탕기%온도보상%쇄상배
文章介绍了一种基于0.35μm标准CMOS工艺实现的三级差分环形压控振荡器。仿真结果表明，2.5 V电源电压供电时，振荡器中心频率为315 MHz，工作电流为330 uA，电路功耗仅为825 uW。仿真温度范围为-30~80益，输出频率的中心频率为295~328 MHz，频率变化小于1000 ppm。本设计可极大的改善由于温度引起的振荡器频率严重变化的影响，可应用于锁相环和频率综合器设计中。
文章介紹瞭一種基于0.35μm標準CMOS工藝實現的三級差分環形壓控振盪器。倣真結果錶明，2.5 V電源電壓供電時，振盪器中心頻率為315 MHz，工作電流為330 uA，電路功耗僅為825 uW。倣真溫度範圍為-30~80益，輸齣頻率的中心頻率為295~328 MHz，頻率變化小于1000 ppm。本設計可極大的改善由于溫度引起的振盪器頻率嚴重變化的影響，可應用于鎖相環和頻率綜閤器設計中。
문장개소료일충기우0.35μm표준CMOS공예실현적삼급차분배형압공진탕기。방진결과표명，2.5 V전원전압공전시，진탕기중심빈솔위315 MHz，공작전류위330 uA，전로공모부위825 uW。방진온도범위위-30~80익，수출빈솔적중심빈솔위295~328 MHz，빈솔변화소우1000 ppm。본설계가겁대적개선유우온도인기적진탕기빈솔엄중변화적영향，가응용우쇄상배화빈솔종합기설계중。
