广东第二师范学院学报
廣東第二師範學院學報
엄동제이사범학원학보
Journal of Guangdong Education Institute
2011年
5期
40~45
,共null页
硅薄膜 动力学蒙特卡罗 温度 覆盖率
硅薄膜 動力學矇特卡囉 溫度 覆蓋率
규박막 동역학몽특잡라 온도 복개솔
Si thin films; lattice-kinetic Monte Carlo ; temperature ; coverage
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si(111)基底上外延生长的过程.系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程.
建立超薄膜Si外延生長的晶格一動力學矇特卡囉模型,併應用該模型模擬瞭Si原子在Si(111)基底上外延生長的過程.繫統研究瞭沉積時間、基片溫度對于薄膜初始生長形貌的影響,如影響粒子的擴散與凝聚、島的生長等微觀過程.
건립초박막Si외연생장적정격일동역학몽특잡라모형,병응용해모형모의료Si원자재Si(111)기저상외연생장적과정.계통연구료침적시간、기편온도대우박막초시생장형모적영향,여영향입자적확산여응취、도적생장등미관과정.
A lattice-kinetic Monte Carlo model is established to study the dynamic mechanism during the early growing of Si/Si(111). The diffusion processes of adatoms that influence the micro-morphology of thin film are discussed under the different substrate temperatures and deposition time, such as the micro-processes of diffusion, nucleation, and growth of island.