韶关学院学报
韶關學院學報
소관학원학보
Journal of Shaoguan University(Social Science Edition)
2003年
9期
10~13
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半导体芯片 杂质沾污 无损检测 紫外荧光
半導體芯片 雜質霑汙 無損檢測 紫外熒光
반도체심편 잡질첨오 무손검측 자외형광
Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响,往往导致器件失效,成品率下降,必须进行有效控制处理.采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况,还能检测金属杂质的相对沾污量,对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析.
Fe、Na、Ni等金屬雜質對半導體器件芯片有嚴重的負麵影響,往往導緻器件失效,成品率下降,必鬚進行有效控製處理.採用紫外熒光(UVF)法可有效檢測齣硅晶片及半導體器件芯片(如GaP、GaAs等)的金屬雜質霑汙情況,還能檢測金屬雜質的相對霑汙量,對半導體器件芯片的生產可實現實時非破壞性的檢測分析.
Fe、Na、Ni등금속잡질대반도체기건심편유엄중적부면영향,왕왕도치기건실효,성품솔하강,필수진행유효공제처리.채용자외형광(UVF)법가유효검측출규정편급반도체기건심편(여GaP、GaAs등)적금속잡질첨오정황,환능검측금속잡질적상대첨오량,대반도체기건심편적생산가실현실시비파배성적검측분석.
