液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays
2015年
4期
628-633
,共6页
侯清娜%张新宇%王峥%林鸿涛%冯兰%刘冬
侯清娜%張新宇%王崢%林鴻濤%馮蘭%劉鼕
후청나%장신우%왕쟁%림홍도%풍란%류동
薄膜晶体管液晶显示%TFT测试方法%亮态漏电流
薄膜晶體管液晶顯示%TFT測試方法%亮態漏電流
박막정체관액정현시%TFT측시방법%량태루전류
thin-film transistor liquid crystal display%test method for thin-film-transistor%photo off-leakage current
对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要.为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素.本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试.进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流.最后制作了54.6 cm(21.5 in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5 μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08 pA降至约9.50 pA.所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本.
對于薄膜晶體管液晶顯示器來說,TFT的特性對產品的品質有很大的影響,而其亮態漏電流Ioff的影響尤為重要.為改善器件性能,需要深入分析TFT亮態漏電流的影響因素.本文在實驗基礎上提齣一種測試方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)對TFT溝道的不同位置進行遮擋;再對遮擋樣品進行TFT特性測試.進而能模擬齣實際工作中的TFT亮態漏電流,可以更加簡便有效地優化TFT下方的柵極金屬線寬,同時降低亮態漏電流.最後製作瞭54.6 cm(21.5 in)改善樣品,通過新測試方法分析,將柵極金屬線加寬約1.5 μm,改善後樣品的亮態漏電流從14.08 pA降至約9.50 pA.所以,使用新的測試方法無需將樣品製作到模組後再進行品質評價,簡單有效併降低瞭產品製造成本.
대우박막정체관액정현시기래설,TFT적특성대산품적품질유흔대적영향,이기량태루전류Ioff적영향우위중요.위개선기건성능,수요심입분석TFT량태루전류적영향인소.본문재실험기출상제출일충측시방법,수선사용BM PR(Black Matrix Photo Resist)대TFT구도적불동위치진행차당;재대차당양품진행TFT특성측시.진이능모의출실제공작중적TFT량태루전류,가이경가간편유효지우화TFT하방적책겁금속선관,동시강저량태루전류.최후제작료54.6 cm(21.5 in)개선양품,통과신측시방법분석,장책겁금속선가관약1.5 μm,개선후양품적량태루전류종14.08 pA강지약9.50 pA.소이,사용신적측시방법무수장양품제작도모조후재진행품질평개,간단유효병강저료산품제조성본.
