核技术
覈技術
핵기술
Nuclear Techniques
2015年
8期
23-30
,共8页
ZnO薄膜%Ag纳米颗粒%离子注入%缺陷%光致发光
ZnO薄膜%Ag納米顆粒%離子註入%缺陷%光緻髮光
ZnO박막%Ag납미과립%리자주입%결함%광치발광
ZnO thin film%Ag nano-particles%Ion implantation%Defect%Photoluminescence
采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了ZnO薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入ZnO薄膜中,形成Ag纳米颗粒.利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质.结果表明,未注入的ZnO薄膜在380 nm和610 nm处出现发光峰,分别对应ZnO激子峰与深能级缺陷峰.Ag离子注入ZnO样品的激子发光峰增强,并在400 nm和430 nm左右处出现新发光峰,同时深能级缺陷引起的发光峰减弱.在N2气氛下退火处理后,Ag离子注入ZnO样品在400 nm处的发光峰消失,430 nm左右发光峰减弱.Ag离子注入ZnO薄膜中合成了Ag纳米颗粒,观察到了Ag纳米颗粒的等离子共振效应.对Ag纳米颗粒和离子注入产生的缺陷、ZnO发光性质的影响给出了解释.
採用磁控濺射技術在藍寶石基底上製備瞭ZnO薄膜,併對樣品在氧氣氛下進行瞭熱處理,然後採用不同能量、劑量的Ag離子註入ZnO薄膜中,形成Ag納米顆粒.利用X射線衍射、光緻髮光、紫外可見吸收等技術詳細地研究瞭樣品的結構與髮光性質.結果錶明,未註入的ZnO薄膜在380 nm和610 nm處齣現髮光峰,分彆對應ZnO激子峰與深能級缺陷峰.Ag離子註入ZnO樣品的激子髮光峰增彊,併在400 nm和430 nm左右處齣現新髮光峰,同時深能級缺陷引起的髮光峰減弱.在N2氣氛下退火處理後,Ag離子註入ZnO樣品在400 nm處的髮光峰消失,430 nm左右髮光峰減弱.Ag離子註入ZnO薄膜中閤成瞭Ag納米顆粒,觀察到瞭Ag納米顆粒的等離子共振效應.對Ag納米顆粒和離子註入產生的缺陷、ZnO髮光性質的影響給齣瞭解釋.
채용자공천사기술재람보석기저상제비료ZnO박막,병대양품재양기분하진행료열처리,연후채용불동능량、제량적Ag리자주입ZnO박막중,형성Ag납미과립.이용X사선연사、광치발광、자외가견흡수등기술상세지연구료양품적결구여발광성질.결과표명,미주입적ZnO박막재380 nm화610 nm처출현발광봉,분별대응ZnO격자봉여심능급결함봉.Ag리자주입ZnO양품적격자발광봉증강,병재400 nm화430 nm좌우처출현신발광봉,동시심능급결함인기적발광봉감약.재N2기분하퇴화처리후,Ag리자주입ZnO양품재400 nm처적발광봉소실,430 nm좌우발광봉감약.Ag리자주입ZnO박막중합성료Ag납미과립,관찰도료Ag납미과립적등리자공진효응.대Ag납미과립화리자주입산생적결함、ZnO발광성질적영향급출료해석.
