液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays
2015年
4期
581-589
,共9页
李锐%丰景义%温刚%乔云霞%徐凯%崔青
李銳%豐景義%溫剛%喬雲霞%徐凱%崔青
리예%봉경의%온강%교운하%서개%최청
TFT-LCD%线残像%直流电压%V-T漂移
TFT-LCD%線殘像%直流電壓%V-T漂移
TFT-LCD%선잔상%직류전압%V-T표이
TFT-LCD%line image sticking%DC voltage%V-T drift
线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究.本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验.组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2 O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生.V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5％时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10％时,线残像严重.这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义.
線殘像是液晶顯示不良的一種錶現,對在Cell中短時間內判斷液晶線殘像的彊弱進行瞭研究.本文使用瞭4種介電各嚮異性相同的液晶,對這4款混晶所製成的TFT-LCD屏進行瞭線殘像水平測定,繫統分析瞭混晶的組分與線殘像的關繫,併使用瞭一種通過加直流電壓測試V-T麯線的漂移來判斷液晶殘像彊弱的方法,對4款混晶做瞭V-T麯線漂移實驗.組分分析錶明,介電各嚮異性相同的情況下,液晶中-CF2 O-類單體和-COO-類單體的使用會導緻線殘像的髮生.V-T漂移實驗結果錶明,Vth變化率小于5％時,液晶顯示線殘像輕微,Vth變化率大于10％時,線殘像嚴重.這種方法可以在Cell中進行,併且使測試時間明顯縮短,這對提高液晶的研髮效率具有指導意義.
선잔상시액정현시불량적일충표현,대재Cell중단시간내판단액정선잔상적강약진행료연구.본문사용료4충개전각향이성상동적액정,대저4관혼정소제성적TFT-LCD병진행료선잔상수평측정,계통분석료혼정적조분여선잔상적관계,병사용료일충통과가직류전압측시V-T곡선적표이래판단액정잔상강약적방법,대4관혼정주료V-T곡선표이실험.조분분석표명,개전각향이성상동적정황하,액정중-CF2 O-류단체화-COO-류단체적사용회도치선잔상적발생.V-T표이실험결과표명,Vth변화솔소우5％시,액정현시선잔상경미,Vth변화솔대우10％시,선잔상엄중.저충방법가이재Cell중진행,병차사측시시간명현축단,저대제고액정적연발효솔구유지도의의.
