强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
High Power Laser and Particle Beams
2015年
8期
193-198
,共6页
中子%单粒子效应%随机静态存储器%双互锁存储单元
中子%單粒子效應%隨機靜態存儲器%雙互鎖存儲單元
중자%단입자효응%수궤정태존저기%쌍호쇄존저단원
neutron%single event effect%static random access memory%DICE
分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布.根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65 nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果.结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生.双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转.由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证.最后,讨论了65 nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案.
分析瞭覈裂變與聚變情況下,典型能量的中子與半導體器件反應,所產生的次級粒子及其能譜分佈.根據中子所能導緻的最噁劣情況,討論瞭65 nm工藝呎吋下,半導體靜態存儲器的單粒子效應,併給齣瞭TCAD倣真的結果.結果顯示,商用6管單元難以避免中子單粒子效應的髮生.雙互鎖存儲單元(DICE)結構在高密度設計時,也由于電荷共享效應,髮生瞭單粒子翻轉.由于電荷共享效應難以用SPICE倣真的方法得到,TCAD倣真更適用于中子單粒子免疫的SRAM設計驗證.最後,討論瞭65 nm工藝下,中子單粒子免疫的SRAM設計,指齣6管單元加電容的方式,可能是更有競爭力的方案.
분석료핵렬변여취변정황하,전형능량적중자여반도체기건반응,소산생적차급입자급기능보분포.근거중자소능도치적최악렬정황,토론료65 nm공예척촌하,반도체정태존저기적단입자효응,병급출료TCAD방진적결과.결과현시,상용6관단원난이피면중자단입자효응적발생.쌍호쇄존저단원(DICE)결구재고밀도설계시,야유우전하공향효응,발생료단입자번전.유우전하공향효응난이용SPICE방진적방법득도,TCAD방진경괄용우중자단입자면역적SRAM설계험증.최후,토론료65 nm공예하,중자단입자면역적SRAM설계,지출6관단원가전용적방식,가능시경유경쟁력적방안.
