强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
High Power Laser and Particle Beams
2015年
8期
222-225
,共4页
陈伟%梁昊%廖胜凯%徐昱%彭承志
陳偉%樑昊%廖勝凱%徐昱%彭承誌
진위%량호%료성개%서욱%팽승지
电光调制电路%功率MOSFET%差分相移量子密钥分%高压脉冲
電光調製電路%功率MOSFET%差分相移量子密鑰分%高壓脈遲
전광조제전로%공솔MOSFET%차분상이양자밀약분%고압맥충
electro-optic modulation circuit%power MOSFET%differential phase shift quantum key distribution%high voltage pulse
根据差分相移量子密钥分发实验对高速电光调制电路的需求,利用固体开关技术和变压器隔离技术,设计出了重复频率为45 kHz、输出脉冲电压达到2 kV的电光调制电路,该电光调制电路由两部分组成,正负1 kV高压脉冲产生电路,其中正1 kV高压脉冲的上升沿为50.44 ns,下降沿为44.6 ns,负1 kV高压脉冲下降沿为52.29 ns,上升沿为50.44 ns.普克尔盒调制电路与光路进行联调,光路的消光比达到23 dB,完全满足了消光比为20 dB的实验需求.
根據差分相移量子密鑰分髮實驗對高速電光調製電路的需求,利用固體開關技術和變壓器隔離技術,設計齣瞭重複頻率為45 kHz、輸齣脈遲電壓達到2 kV的電光調製電路,該電光調製電路由兩部分組成,正負1 kV高壓脈遲產生電路,其中正1 kV高壓脈遲的上升沿為50.44 ns,下降沿為44.6 ns,負1 kV高壓脈遲下降沿為52.29 ns,上升沿為50.44 ns.普剋爾盒調製電路與光路進行聯調,光路的消光比達到23 dB,完全滿足瞭消光比為20 dB的實驗需求.
근거차분상이양자밀약분발실험대고속전광조제전로적수구,이용고체개관기술화변압기격리기술,설계출료중복빈솔위45 kHz、수출맥충전압체도2 kV적전광조제전로,해전광조제전로유량부분조성,정부1 kV고압맥충산생전로,기중정1 kV고압맥충적상승연위50.44 ns,하강연위44.6 ns,부1 kV고압맥충하강연위52.29 ns,상승연위50.44 ns.보극이합조제전로여광로진행련조,광로적소광비체도23 dB,완전만족료소광비위20 dB적실험수구.
