中国科技纵横
中國科技縱橫
중국과기종횡
China Science & Technology Panorama Magazine
2015年
17期
35-35
,共1页
一维光子晶体%LED%发光效率%光子晶体带隙效应%光栅衍射效应
一維光子晶體%LED%髮光效率%光子晶體帶隙效應%光柵衍射效應
일유광자정체%LED%발광효솔%광자정체대극효응%광책연사효응
采用平面波展开法计算GaN介质一维光子晶体带隙,通过调整填充比找到最宽带隙。将设计结构应用于GaN基LED,并进行有限时域差分方法模拟,建立模型研究改变光子晶体柱的深度与其与发光效率的关系,分析了光子晶体带隙效应与光栅衍射效应在光子晶体LED应用中的适用条件和范围。
採用平麵波展開法計算GaN介質一維光子晶體帶隙,通過調整填充比找到最寬帶隙。將設計結構應用于GaN基LED,併進行有限時域差分方法模擬,建立模型研究改變光子晶體柱的深度與其與髮光效率的關繫,分析瞭光子晶體帶隙效應與光柵衍射效應在光子晶體LED應用中的適用條件和範圍。
채용평면파전개법계산GaN개질일유광자정체대극,통과조정전충비조도최관대극。장설계결구응용우GaN기LED,병진행유한시역차분방법모의,건립모형연구개변광자정체주적심도여기여발광효솔적관계,분석료광자정체대극효응여광책연사효응재광자정체LED응용중적괄용조건화범위。
