深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
Journal of Shenzhen University(Science & Engineering)
2015年
4期
417-421
,共5页
陈凤%郭金川%陈泗方%周彬
陳鳳%郭金川%陳泗方%週彬
진봉%곽금천%진사방%주빈
薄膜物理学%硅基微通道板%二次电子发射%数值模拟%发射系数%薄膜厚度
薄膜物理學%硅基微通道闆%二次電子髮射%數值模擬%髮射繫數%薄膜厚度
박막물이학%규기미통도판%이차전자발사%수치모의%발사계수%박막후도
thin-film physics%silicon-based microchannel plate%secondary electron emission%numerical simulation%emission coefficient%thickness of film
为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了SiO2/Si、Al2O3/Si、MgO/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值.
為提高硅基微通道闆(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提齣採用複閤髮射層結構取代常規的單髮射層結構以改善微通道內壁的二次電子髮射特性.計算瞭SiO2/Si、Al2O3/Si、MgO/Si雙層薄膜在不同厚度下的二次電子髮射繫數與初電子能量的關繫麯線,併對結果進行瞭比對驗證.該計算結果對設計製作硅基MCP具有一定參攷價值.
위제고규기미통도판(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)적증익특성,제출채용복합발사층결구취대상규적단발사층결구이개선미통도내벽적이차전자발사특성.계산료SiO2/Si、Al2O3/Si、MgO/Si쌍층박막재불동후도하적이차전자발사계수여초전자능량적관계곡선,병대결과진행료비대험증.해계산결과대설계제작규기MCP구유일정삼고개치.
