电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
Equipment for Electronic Products Manufacturing
2015年
8期
5-9,29
,共6页
大直径重掺硼硅单晶%热场改造%工艺参数改进%组分过冷
大直徑重摻硼硅單晶%熱場改造%工藝參數改進%組分過冷
대직경중참붕규단정%열장개조%공예삼수개진%조분과랭
在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019 cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验.通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3 Ω.cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率.
在CG6000型單晶爐上,開展瞭硼摻雜濃度8×1019 cm-3以上的150 mm(6英吋)硅單晶生長試驗.通過對熱場和生長工藝進行優化,抑製瞭重摻硼硅單晶拉製過程中的嚴重組分過冷,成功拉製齣瞭電阻率1.5×10-3 Ω.cm以下的無位錯重摻硼硅單晶,併對單晶拉製過程中的一些工藝參數設定進行瞭分析和探討,提高瞭該類硅單晶生長的效率和成品率.
재CG6000형단정로상,개전료붕참잡농도8×1019 cm-3이상적150 mm(6영촌)규단정생장시험.통과대열장화생장공예진행우화,억제료중참붕규단정랍제과정중적엄중조분과랭,성공랍제출료전조솔1.5×10-3 Ω.cm이하적무위착중참붕규단정,병대단정랍제과정중적일사공예삼수설정진행료분석화탐토,제고료해류규단정생장적효솔화성품솔.
