真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
Vacuum Electronics
2015年
4期
1-5
,共5页
刘征%王腾飞%张伟儒%高陇桥
劉徵%王騰飛%張偉儒%高隴橋
류정%왕등비%장위유%고롱교
氮化硅陶瓷%陶瓷与金属接合%活性法封接工艺%气密性
氮化硅陶瓷%陶瓷與金屬接閤%活性法封接工藝%氣密性
담화규도자%도자여금속접합%활성법봉접공예%기밀성
Silicon nitride ceramics%Ceramic-metal sealing%Active sealing technology%Airtightness
本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员.文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺.试验结果表明:用活性法工艺,在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高强度(σ拉=144 MPa)的Si3N4-Cu封接件.
本文敘述瞭氮化硅陶瓷的髮展趨勢,特彆彊調瞭改進製造工藝,有可能提高其熱導率而成為高熱導率陶瓷傢族中的一員.文中繫統地介紹瞭氮化硅陶瓷與金屬的接閤工藝.試驗結果錶明:用活性法工藝,在國內首次成功地完成高氣密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高彊度(σ拉=144 MPa)的Si3N4-Cu封接件.
본문서술료담화규도자적발전추세,특별강조료개진제조공예,유가능제고기열도솔이성위고열도솔도자가족중적일원.문중계통지개소료담화규도자여금속적접합공예.시험결과표명:용활성법공예,재국내수차성공지완성고기밀성(Q≤10-11 Pa·m/s)화고강도(σ랍=144 MPa)적Si3N4-Cu봉접건.
